由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

什么是MOS器件的體效應？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。