由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？