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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】比較投影掩模版和光學(xué)掩模版有何異同？說(shuō)明采用什么技術(shù)形成投影掩模版上的圖形？
答案：
投影掩膜版：圖形可能僅包含一個(gè)管芯，也可能是幾個(gè)。容易形成亞微米圖形；小曝光場(chǎng)，需要步進(jìn)重復(fù)；光學(xué)縮小，允許較大的尺寸。...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】為什么硅片熱氧化結(jié)束時(shí)通常還要進(jìn)行氫氣或氫－氮混合氣體退火？
答案：
距Si/SiO2界面2nm以內(nèi)的Si的不完全氧化是帶正電的固定氧化物電荷區(qū)；對(duì)于器件的正常工作，界面處的電荷堆積是不受歡...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】采用提拉法（CZ法，切克勞斯基法）和區(qū)熔法制備的硅片，哪種方法質(zhì)量更高，為什么？那么目前8英寸以上的硅片，經(jīng)常選擇哪種方式制備，為什么？
答案：
區(qū)熔法制備的硅片質(zhì)量更高，因?yàn)楹趿康汀?br /> 8英吋以上的硅片，選擇CZ法制備，晶圓直徑大。
