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問答題在大規(guī)模集成電路中，閂鎖效應來自于MOS器件有源區(qū)PN結與襯底之間寄生的雙極性晶體管。請舉出3種微電子工藝中利用離子注入或別的手段抑制或消除閂鎖效應的方法。

1.問答題比較投影掩模版和光學掩模版有何異同？說明采用什么技術形成投影掩模版上的圖形？

2.問答題為什么硅片熱氧化結束時通常還要進行氫氣或氫－氮混合氣體退火？

3.問答題采用提拉法（CZ法，切克勞斯基法）和區(qū)熔法制備的硅片，哪種方法質(zhì)量更高，為什么？那么目前8英寸以上的硅片，經(jīng)常選擇哪種方式制備，為什么？

區(qū)熔法制備的硅片質(zhì)量更高，因為含氧量低。
8英吋以上的硅片，選擇CZ法制備，晶圓直徑大。

4.問答題化學機械平坦化的工作機理是什么？與傳統(tǒng)平坦化方法相比，它有哪些優(yōu)點？

5.問答題Si3N4材料在半導體工藝中能否用作層間介質(zhì)，為什么？請舉兩例說明Si3N4在集成電路工藝中的應用。