柵極、源極與漏極(或雙極器件的基區(qū)與發(fā)射區(qū))的歐姆接觸、基本連線、薄PN結的擴散源、高值電阻等
多晶硅是單質硅的一種形態(tài)、特性隨結晶度與雜質原子而改變、應用廣泛
SiO2、SiON、Si3N4
InP中電子與空穴的復合是直接進行的
MESFET、HEMT和HBT三種有源器件。
最新試題
鍵合工藝失效,,鍵合點尾絲不一致,可能產生的原因有()。
載帶自動焊使用的凸點形狀一般有蘑菇凸點和柱凸點兩種。
引線鍵合的參數主要包括()。
根據焊點的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
WLCSP技術最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。
鍵合常用的劈刀形狀,下列說法正確的是()。
下列對焊接可靠性無影響的是()。
為了獲得好的性能,塑封料的電學性必須得到控制。
關于電子封裝基片的性質,說法錯誤的是()。
下面選項中硅片減薄技術正確的是()。