CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

摻雜后退火時間一般在（）。