問答題

【計(jì)算題】
離子晶體中，肖特基缺陷多成對產(chǎn)生。如n代表正負(fù)離子空位的數(shù)目，u₀代表產(chǎn)生一對缺陷所需要的能量，N代表晶體中原有正負(fù)離子對的數(shù)目，理論上可推出式中，γ和B分別是與原子的振動(dòng)頻率的改變和缺陷激活能隨體積變化有關(guān)的參量。設(shè)試求T=300K和T=1000K時(shí)由于有肖特基缺陷后體積的相對變化ΔV/V。

答案：

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【計(jì)算題】已知在鈉中形成一個(gè)肖特基缺陷的能量為1eV，問溫度從T=290K升到T=1000K時(shí)，肖特基缺陷增大多少倍？

答案：

【計(jì)算題】
已知，由N個(gè)惰性氣體原子結(jié)合成的具有面心立方結(jié)構(gòu)的晶體，其互作用能可表示為式中，ε，σ為參數(shù)；R為原子最近鄰間距。試求：
（1）平衡時(shí)的晶體體積；
（2）體積彈性模量；
（3）抗張強(qiáng)度。

答案：