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限幅利用二極管三極管的()特性來實現(xiàn)。
A、單向導電性
B、開關
C、箝位
D、整流
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半導體中的載流子為()。
A、正離子
B、負離子
C、電子
D、自由電子和空穴
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硅管與鍺管的死區(qū)電壓分別為()。
A、0.7,0.3
B、0.3,0.7
C、0.5,0.2
D、0.2,0.5
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