問答題

【簡答題】為什么說柵長是MESFET的重要參數(shù)？

答案：

對MESFET的控制主要作用于柵極下面的區(qū)域

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【簡答題】MESFET的有源層是如何形成的？它的導電溝道是如何控制的？

答案：有源層可以采用液相外延、氣相外延、分子束外延和離子注入形成。在柵極上加電壓，內部的電勢就會被增強或減弱，從而使溝道的深度...

【簡答題】HBT的主要優(yōu)點是什么？適于何種應用？

答案：

HBT具有很強的電流驅動能力；適用于模擬信號的功率放大和門陣列邏輯的輸出緩沖電路設計。