問答題

【簡答題】與Si三極管相比,MESFET和HEMT存在哪些缺點?

答案:

(1)跨導(dǎo)相對低;
(2)閾值電壓較敏感于有源層的垂直尺寸形狀和摻雜程度;
(3)驅(qū)動電流??;
(4)閾值電壓變化大。

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問答題

【簡答題】HEMT有更高截止頻率更高跨導(dǎo)和更低噪聲的原因?它的主要應(yīng)用領(lǐng)域是什么?

答案:

HEMT有源層中,沒有施主與電子的碰撞毫米波電路和光纖通信的超高速電路

問答題

【簡答題】由Si/SiGe材料系統(tǒng)研制的HEMT取得了哪些進展?

答案: 在300K和77K溫度下,N溝道HEMT的跨導(dǎo)分別達到400mS/mm和800mS/mm;P溝道HEMT的跨導(dǎo)達到170...
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