優(yōu)點:電路密度增加到1/a^2、功耗降低1/a^2、器件時延降低a倍即器件速率提升a倍、線路上延遲不變、優(yōu)值增加a^2倍
功能:在柵極下面的SI區(qū)域中形成反型層和克服二氧化硅介質(zhì)上的壓降。