下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn)，說法錯(cuò)誤的是（）。

使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。

下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。

關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯(cuò)誤的是（）。

引線鍵合的常用技術(shù)有（）。

AUBM的形成可以采用（）方法。

凸點(diǎn)的制作技術(shù)有（）。

下列屬于BGAA形式的是（）。

鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。

鍵合工藝失效，，鍵合點(diǎn)尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。