鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。

為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。

按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯誤的是（）。

收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。

下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。

WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。

鍵合工藝失效，，鍵合點尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。

引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。

載帶自動焊使用的凸點形狀一般有蘑菇凸點和柱凸點兩種。

QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對設(shè)定的電性能無法調(diào)整，而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。