問(wèn)答題

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答案：

擴(kuò)散和離子注入。

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答案：

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)、器和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。

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答案：

生長(zhǎng)緩沖層、溝道區(qū)注入、離子注入、CVD工藝淀積多晶硅、多晶硅摻雜、光刻和刻蝕形成多晶硅柵的圖形。