問答題MOS晶體管的本征電容通常是指哪幾部分電容?MOS晶體管的寄生電容通常是指哪幾部分電容?
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AUBM的形成可以采用()方法。
題型:多項選擇題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn),說法錯誤的是()。
題型:單項選擇題
鍵合工藝失效,焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有()。
題型:多項選擇題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說法錯誤的是()。
題型:單項選擇題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
題型:判斷題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有()。
題型:多項選擇題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型:判斷題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
題型:多項選擇題
因為QFP封裝的可靠性高,且其封裝外形尺寸較小,寄生參數(shù)減小,故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型:判斷題
引線鍵合的參數(shù)主要包括()。
題型:多項選擇題