CMP(CMP-chemical mechanical polishing)包括哪些過程?
包括:邊緣拋光:分散應(yīng)力,減少微裂紋,降低位錯(cuò)排與滑移線,降低因碰撞而產(chǎn)生碎片的機(jī)會(huì)。表面拋光:粗拋光,細(xì)拋光,精拋光
腐蝕方式:噴淋及浸泡
工序目的:去除表面因加工應(yīng)力而形成的損傷層及污染