多項(xiàng)選擇題在因子設(shè)計(jì)階段，對(duì)3個(gè)因子A、B及C，進(jìn)行二水平全因子共11次試驗(yàn)后，可以確認(rèn)3者皆顯著，但卻發(fā)現(xiàn)了顯著的彎曲。決定增做些試驗(yàn)點(diǎn)，形成響應(yīng)曲面設(shè)計(jì)。一個(gè)團(tuán)隊(duì)成員建議在新設(shè)計(jì)中使用CCF（中心復(fù)合表面設(shè)計(jì)，Central Composite Face-Centered Design）。他這樣建議的好處是（）

A.原有的11次試驗(yàn)結(jié)果仍然可以利用。
B.新設(shè)計(jì)仍保持有旋轉(zhuǎn)性（Rotatability）。
C.新設(shè)計(jì)對(duì)每個(gè)因子仍只需安排3個(gè)水平。
D.新設(shè)計(jì)對(duì)每個(gè)因子的代碼水平仍保持在（-1，1）范圍內(nèi)。


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1.多項(xiàng)選擇題穩(wěn)健參數(shù)設(shè)計(jì)（田口方法）中的誤差因素，指的是（）

A.元器件參數(shù)所取數(shù)值的誤差
B.用戶使用環(huán)境條件變化形成的誤差
C.重復(fù)試驗(yàn)中的隨機(jī)誤差
D.產(chǎn)品制造過(guò)程中工藝條件變化形成的誤差

2.多項(xiàng)選擇題XR控制圖比X-MR（單值移動(dòng)極差）控制圖應(yīng)用更為普遍的原因在于（）

A.XR圖可適用于非正態(tài)的過(guò)程
B.XR有更高的檢出力
C.XR圖作圖更為簡(jiǎn)便
D.XR圖需要更少的樣本含量

3.多項(xiàng)選擇題

在X圖中，下列情況可判為異常（）
UCL
A
B
CCL
C
B
A
LCL

A.連續(xù)3點(diǎn)中有2點(diǎn)落在中心線同一側(cè)的B區(qū)以外
B.連續(xù)15點(diǎn)落在中心線兩側(cè)的C區(qū)內(nèi)
C.連續(xù)9點(diǎn)落在中心線同一側(cè)
D.連續(xù)4點(diǎn)遞增或遞減

4.多項(xiàng)選擇題在芯片生產(chǎn)車(chē)間，每天抽8塊芯片檢查其暇疵點(diǎn)個(gè)數(shù)。為了監(jiān)測(cè)暇疵點(diǎn)數(shù)，對(duì)于控制圖的選用，下列正確的是（）

A.使用C控制圖最方便
B.也可以使用U控制圖，效果和C控制圖相同，但不如C控制圖方便
C.也可以使用p控制圖，效果和C控制圖相同，但不如C控制圖方便
D.使用np控制圖，效果和C控制圖相同

5.多項(xiàng)選擇題在控制圖的應(yīng)用中，可靈敏地檢測(cè)過(guò)程均值發(fā)生小偏移的控制圖有（）

A.平均值和極差控制圖
B.累積和（CUSUM）控制圖
C.指數(shù)加權(quán)滑動(dòng)平均（EWMA.控制圖
D.單值和移動(dòng)極差控制圖