在半導(dǎo)體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預(yù)定的作用而不互相影響，就必須使它們?cè)陔娦阅苌舷嗷ソ^緣。（）

敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學(xué)方程式。

集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？

絲網(wǎng)印刷膜的厚度不隨著刮板移動(dòng)速度的增加而減小。（）

光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。（）

干法腐蝕清潔、干凈、無(wú)脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）

半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般.（）

目前在半自動(dòng)化和自動(dòng)化的鍵合機(jī)上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴(yán)格處理包裝后銷售，一般不能再退火，一經(jīng)退火反而壞了性能。（）

單晶是原子或離子沿著三個(gè)不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來(lái)的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）

金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí)，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）