雙極晶體管中只有一種載流子（電子或空穴）傳輸電流。（）

硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。（）

單晶是原子或離子沿著三個(gè)不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）

邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個(gè)值。（）

鈀．銀電阻的燒結(jié)分預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個(gè)階段。（）

金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí)，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）

位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻模梢允咕w內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯(cuò)位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯(cuò)。（）

門陣列的基本結(jié)構(gòu)形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）

敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學(xué)方程式。