可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。（）

集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？

在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）

遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）

設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。（）

硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。（）

片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來越普遍。（）

雙極晶體管中只有一種載流子（電子或空穴）傳輸電流。（）

鈀．銀電阻的燒結(jié)分預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個(gè)階段。（）

干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）