你可能感興趣的試題

填空題
質(zhì)子吸收峰的屏蔽效應(yīng)大小可用（）來(lái)表示.
答案：屏蔽常數(shù)
填空題
當(dāng)外加磁場(chǎng)強(qiáng)度B₀增加時(shí)，對(duì)質(zhì)子來(lái)說(shuō)，由低能級(jí)向高能級(jí)躍遷時(shí)所需能量（）。
答案：要高
填空題
核磁共振的化學(xué)位移是由于（）而造成的，化學(xué)位移值是以（）為相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)制定出來(lái)的。
答案：核外電子云所產(chǎn)生的屏蔽作用的大小不同；TMS （四甲基硅烷）（=0）
填空題
寫(xiě)出下述化合物質(zhì)子出現(xiàn)的多重峰數(shù)目，并標(biāo)出其高低場(chǎng)次序。

答案：
單項(xiàng)選擇題
使用60.0MHz的儀器，TMS吸收和化合物中某質(zhì)子之間的頻率差為180Hz。若使用40.0MHz的儀器，則它們之間的頻率差是（）
A. 100Hz
B. 120Hz
C. 160Hz
D. 180Hz
單項(xiàng)選擇題
當(dāng)質(zhì)子共振所需的外磁場(chǎng)B₀增加時(shí)，δ值將（）
A. 增加
B. 減小
C. 不變
D. 先增加后減小
單項(xiàng)選擇題
當(dāng)質(zhì)子和參比質(zhì)子的屏蔽常數(shù)的差值增加時(shí)，化學(xué)位移值將（）
A.不變
B.減小
C.增加
D.不確定
單項(xiàng)選擇題
三個(gè)質(zhì)子在共振時(shí)，所需的外磁場(chǎng)強(qiáng)度B ₀的大小次序?yàn)锽_0（A）> B _0（B）> B _0（C）相對(duì)于TMS，該三個(gè)質(zhì)子的化學(xué)位移的次序?yàn)椋ǎ?/p>
A.δ_A>δ_B>δ_C
B.δ_B>δ_C>δ_A
C.δ_B>δ_A>δ_C
D.δ_C>δ_B>δ_A
單項(xiàng)選擇題
三個(gè)不同的質(zhì)子A，B，C，其屏蔽常數(shù)的次序?yàn)椋害?sub>B>δ_A>δ_C，當(dāng)這三個(gè)質(zhì)子在共振時(shí)，所需外磁場(chǎng)B₀的次序是（）
A.
B.
C.
D.
單項(xiàng)選擇題
當(dāng)核從低能級(jí)躍至高能級(jí)時(shí)，核的自旋狀態(tài)是由（）
A.順磁場(chǎng)到反磁場(chǎng)方向
B.反磁場(chǎng)到順磁場(chǎng)方向
C. 一半順磁場(chǎng)，一半反磁場(chǎng)
D. 自旋狀態(tài)不改變

首頁(yè)

題庫(kù)

網(wǎng)課

在線?？?/h3>

桌面端

核磁共振波譜法中R-CHO醛基質(zhì)子化學(xué)位移δ值（約為7.8～10.5）比較大，原因?yàn)椋ǎ?/h4>
答案：由于磁各向異性及O的電負(fù)性大于誘導(dǎo)效應(yīng)

你可能感興趣的試題

質(zhì)子吸收峰的屏蔽效應(yīng)大小可用（）來(lái)表示.

當(dāng)外加磁場(chǎng)強(qiáng)度B₀增加時(shí)，對(duì)質(zhì)子來(lái)說(shuō)，由低能級(jí)向高能級(jí)躍遷時(shí)所需能量（）。

核磁共振的化學(xué)位移是由于（）而造成的，化學(xué)位移值是以（）為相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)制定出來(lái)的。

寫(xiě)出下述化合物質(zhì)子出現(xiàn)的多重峰數(shù)目，并標(biāo)出其高低場(chǎng)次序。

使用60.0MHz的儀器，TMS吸收和化合物中某質(zhì)子之間的頻率差為180Hz。若使用40.0MHz的儀器，則它們之間的頻率差是（）

當(dāng)質(zhì)子共振所需的外磁場(chǎng)B₀增加時(shí)，δ值將（）

當(dāng)質(zhì)子和參比質(zhì)子的屏蔽常數(shù)的差值增加時(shí)，化學(xué)位移值將（）

三個(gè)質(zhì)子在共振時(shí)，所需的外磁場(chǎng)強(qiáng)度B ₀的大小次序?yàn)锽_0（A）> B _0（B）> B _0（C）相對(duì)于TMS，該三個(gè)質(zhì)子的化學(xué)位移的次序?yàn)椋ǎ?/p>

三個(gè)不同的質(zhì)子A，B，C，其屏蔽常數(shù)的次序?yàn)椋害?sub>B>δ_A>δ_C，當(dāng)這三個(gè)質(zhì)子在共振時(shí)，所需外磁場(chǎng)B₀的次序是（）

當(dāng)核從低能級(jí)躍至高能級(jí)時(shí)，核的自旋狀態(tài)是由（）

核磁共振波譜法中R-CHO醛基質(zhì)子化學(xué)位移δ值（約為7.8～10.5） 比較大，原因?yàn)椋ǎ?/h4>答案：由于磁各向異性及O的電負(fù)性大于誘導(dǎo)效應(yīng)手機(jī)看題

你可能感興趣的試題

質(zhì)子吸收峰的屏蔽效應(yīng)大小可用（）來(lái)表示.

當(dāng)外加磁場(chǎng)強(qiáng)度B0增加時(shí)，對(duì)質(zhì)子來(lái)說(shuō)，由低能級(jí)向高能級(jí)躍遷時(shí)所需能量（）。

核磁共振的化學(xué)位移是由于（）而造成的， 化學(xué)位移值是以（）為相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)制定出來(lái)的。

寫(xiě)出下述化合物質(zhì)子出現(xiàn)的多重峰數(shù)目，并標(biāo)出其高低場(chǎng)次序 。

使用60.0MHz的儀器，TMS吸收和化合物中某質(zhì)子之間的頻率差為180Hz。若使用40.0MHz的儀器，則它們之間的頻率差是（）

當(dāng)質(zhì)子共振所需的外磁場(chǎng)B0增加時(shí)，δ值將（）

當(dāng)質(zhì)子和參比質(zhì)子的屏蔽常數(shù)的差值增加時(shí)， 化學(xué)位移值將（）

三個(gè)質(zhì)子在共振時(shí)， 所需的外磁場(chǎng)強(qiáng)度B 0的大小次序?yàn)锽0（A）> B 0（B）> B 0（C） 相對(duì)于TMS， 該三個(gè)質(zhì)子的化學(xué)位移的次序?yàn)椋ǎ?/p>

三個(gè)不同的質(zhì)子A，B，C，其屏蔽常數(shù)的次序?yàn)椋害?sub>B>δA>δC，當(dāng)這三個(gè)質(zhì)子在共振時(shí)，所需外磁場(chǎng)B0的次序是（）

當(dāng)核從低能級(jí)躍至高能級(jí)時(shí)， 核的自旋狀態(tài)是由（）

核磁共振波譜法中R-CHO醛基質(zhì)子化學(xué)位移δ值（約為7.8～10.5）比較大，原因?yàn)椋ǎ?/h4>
答案：由于磁各向異性及O的電負(fù)性大于誘導(dǎo)效應(yīng)

當(dāng)外加磁場(chǎng)強(qiáng)度B₀增加時(shí)，對(duì)質(zhì)子來(lái)說(shuō)，由低能級(jí)向高能級(jí)躍遷時(shí)所需能量（）。

核磁共振的化學(xué)位移是由于（）而造成的，化學(xué)位移值是以（）為相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)制定出來(lái)的。

寫(xiě)出下述化合物質(zhì)子出現(xiàn)的多重峰數(shù)目，并標(biāo)出其高低場(chǎng)次序。

使用60.0MHz的儀器，TMS吸收和化合物中某質(zhì)子之間的頻率差為180Hz。若使用40.0MHz的儀器，則它們之間的頻率差是（）

當(dāng)質(zhì)子共振所需的外磁場(chǎng)B₀增加時(shí)，δ值將（）

當(dāng)質(zhì)子和參比質(zhì)子的屏蔽常數(shù)的差值增加時(shí)，化學(xué)位移值將（）

三個(gè)質(zhì)子在共振時(shí)，所需的外磁場(chǎng)強(qiáng)度B ₀的大小次序?yàn)锽_0（A）> B _0（B）> B _0（C）相對(duì)于TMS，該三個(gè)質(zhì)子的化學(xué)位移的次序?yàn)椋ǎ?/p>

三個(gè)不同的質(zhì)子A，B，C，其屏蔽常數(shù)的次序?yàn)椋害?sub>B>δ_A>δ_C，當(dāng)這三個(gè)質(zhì)子在共振時(shí)，所需外磁場(chǎng)B₀的次序是（）

當(dāng)核從低能級(jí)躍至高能級(jí)時(shí)，核的自旋狀態(tài)是由（）