單項選擇題
下圖屬于什么光刻機？（）
A.接觸式光刻機
B.步進掃描光刻機
C.分布重復(fù)光刻機
D.接近式光刻機
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1.單項選擇題對于0.25um及以下的隔離技術(shù)采用以下（）方式。
A.局部氧化隔離
B.PN結(jié)隔離
C.PN結(jié)-介質(zhì)隔離
D.淺槽隔離
2.單項選擇題WCVD工藝第一步是（）。
A.浸潤
B.成核
C.BULK
D.直接反應(yīng)
3.單項選擇題Liner barrier阻擋金屬間擴散作用的金屬是（）。
A.金屬Al
B.金屬鈦
C.金屬氮化鈦
D.金屬鎢
4.單項選擇題摻氯氧化使用的HCL是（）。
A.液態(tài)源
B.固態(tài)源
C.氣態(tài)源
5.單項選擇題二氧化硅中每個硅原子周圍有（）個氧原子。
A.1
B.2
C.3
D.4
最新試題
下面關(guān)于BGA的特點，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項選擇題
引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
題型：多項選擇題
鍵合工藝失效，，鍵合點尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。
題型：多項選擇題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項選擇題
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：單項選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
題型：判斷題
使用3D封裝技術(shù)可以實現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題