單項選擇題對于0.25um及以下的隔離技術(shù)采用以下（）方式。
A.局部氧化隔離
B.PN結(jié)隔離
C.PN結(jié)-介質(zhì)隔離
D.淺槽隔離
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1.單項選擇題WCVD工藝第一步是（）。
A.浸潤
B.成核
C.BULK
D.直接反應(yīng)
2.單項選擇題Liner barrier阻擋金屬間擴(kuò)散作用的金屬是（）。
A.金屬Al
B.金屬鈦
C.金屬氮化鈦
D.金屬鎢
3.單項選擇題摻氯氧化使用的HCL是（）。
A.液態(tài)源
B.固態(tài)源
C.氣態(tài)源
4.單項選擇題二氧化硅中每個硅原子周圍有（）個氧原子。
A.1
B.2
C.3
D.4
5.單項選擇題以下哪項不是STI工藝氣體？（）
A.SiH4
B.O2
C.N2O
D.Ar
最新試題
引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
題型：多項選擇題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型：判斷題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項選擇題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng)，（）再次來到大眾視線
題型：單項選擇題
下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項選擇題
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是（）。
題型：單項選擇題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn)，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項選擇題
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：單項選擇題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題