CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進(jìn)行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強(qiáng)材料斷裂強(qiáng)度和抗震性能。

高溫反應(yīng)受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

紅外輻射溫度計(jì)測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。

渦流擴(kuò)散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過渦流流體的傳遞過程。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設(shè)備稱為真空獲得設(shè)備或真空泵。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動(dòng)。

吸附質(zhì)從流體主體通過分子與對(duì)流擴(kuò)散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴(kuò)散過程。

MoSi2宜在低于1000℃下長時(shí)間使用。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結(jié)構(gòu)變化，這種情況稱為馳豫。