封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。