A.燒成時(shí)止火溫度高于產(chǎn)品的燒成溫度
B.在過于干燥的生坯上施釉
C.坯釉膨脹系數(shù)搭配不合理
D.釉層厚度不均
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A.鏈狀
B.層狀
C.架狀
A.二次燒成
B.重?zé)?br />
C.一次燒成
D.三次燒成
A.K2O
B.Na2O
C.Li2O
A.二次燒成
B.重?zé)?br />
C.一次燒成
D.三次燒成
A. 燒成時(shí)止火溫度低于產(chǎn)品的燒成溫度
B. 釉層厚薄不均
C. 燒成時(shí)止火溫度高于產(chǎn)品的燒成溫度
D. 燒成氣氛不當(dāng)
最新試題
利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關(guān),元件的溫度又與氣體的熱傳導(dǎo)有關(guān),熱傳導(dǎo)量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計(jì)。
低壓下從石墨轉(zhuǎn)變成金剛石是一個(gè)典型的反自發(fā)方向進(jìn)行的反應(yīng),它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應(yīng)的推動(dòng)來實(shí)現(xiàn)。
人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設(shè)備稱為真空獲得設(shè)備或真空泵。
溫度的高低不必用數(shù)字來說明,溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。
紅外輻射溫度計(jì)測量范圍是600至1600℃,基本誤差≤±10℃。
在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì),且有很高的純度。
化學(xué)氣相沉積乃是通過化學(xué)反應(yīng)的方式,利用加熱、等離子激勵(lì)或光輻射等各種能源,在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。
強(qiáng)制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導(dǎo)致的。
MoSi2宜在低于1000℃下長時(shí)間使用。
靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法,在合成中,除了所需的合成起始材料外,還要加其它催化劑,而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。