A.二次燒成
B.重?zé)?br />
C.一次燒成
D.三次燒成
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A.K2O
B.Na2O
C.Li2O
A.二次燒成
B.重?zé)?br />
C.一次燒成
D.三次燒成
A. 燒成時(shí)止火溫度低于產(chǎn)品的燒成溫度
B. 釉層厚薄不均
C. 燒成時(shí)止火溫度高于產(chǎn)品的燒成溫度
D. 燒成氣氛不當(dāng)
最新試題
簡(jiǎn)述特殊活性原料的獲得方法及效果。
簡(jiǎn)述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。
高溫反應(yīng)受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。
空氣中鉑的使用溫度為1500℃,能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。
在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì),且有很高的純度。
反應(yīng)氣體或生成物通過(guò)邊界層,是以擴(kuò)散的方式來(lái)進(jìn)行的,而使氣體分子進(jìn)行擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力,則是來(lái)自于氣體分子局部的濃度梯度。
在電離真空計(jì)中,電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù),正比于氣體密度n,在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此,可根據(jù)離子電流的大小指示真空度。
低壓下從石墨轉(zhuǎn)變成金剛石是一個(gè)典型的反自發(fā)方向進(jìn)行的反應(yīng),它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應(yīng)的推動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
渦流擴(kuò)散是在有濃度差異條件下,物質(zhì)通過(guò)渦流流體的傳遞過(guò)程。
共價(jià)晶體不需考慮長(zhǎng)程力的作用,表面能(Er)即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半:Er=1/2E 鍵。