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單項(xiàng)選擇題

在光電轉(zhuǎn)換過程中，Si比GaAs量子效率低，因?yàn)槠洌ǎ?/h4>

A.禁帶較窄
B.禁帶較寬
C.禁帶是間接躍遷型
D.禁帶是直接躍遷型

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單項(xiàng)選擇題

在太空的空間實(shí)驗(yàn)室里生長的GaAS具有很高的載流子遷移率，是因?yàn)檫@樣的材料（）。

A.無雜質(zhì)污染
B.受宇宙射線輻射
C.化學(xué)配比合理
D.晶體完整性好

單項(xiàng)選擇題

若一種材料的電阻率隨溫度升高先下降后升高，則該材料是（）。

A.本征半導(dǎo)體
B.金屬
C.化合物半導(dǎo)體
D.摻雜半導(dǎo)體