溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

簡述雜質(zhì)對擴(kuò)散的影響。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

光學(xué)高溫計只要選取一定的波長，通常選λ=0.78μm。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進(jìn)行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強(qiáng)材料斷裂強(qiáng)度和抗震性能。

高溫反應(yīng)受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。