低壓下從石墨轉變成金剛石是一個典型的反自發(fā)方向進行的反應，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應的推動來實現(xiàn)。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

CVD 裝置通常可以由氣源控制部件、沉積反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

界面張力的大小反映界面熱力學的穩(wěn)定性。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動，吸收質(zhì)濃度是不均勻的。

溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標是溫度的數(shù)值表示方法。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過渦流流體的傳遞過程。

在CVD 技術中反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。

CVD 技術中通過沉積反應易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結構變化，這種情況稱為馳豫。