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CVD 技術中通過沉積反應易于生成所需要的材料沉積物,而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。
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強制對流是自流體因溫度或濃度所產生的密度差所導致的。
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在CVD 技術中反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質,且有很高的純度。
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