p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。