單項(xiàng)選擇題某磁盤(pán)有兩個(gè)盤(pán)片,10,000個(gè)柱面,每條磁道平均有400個(gè)扇區(qū),每個(gè)扇區(qū)有512個(gè)字節(jié),則該磁盤(pán)有()個(gè)磁道。

A.20,000
B.40,000
C.8,192,000,000
D.2


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題非易失性存儲(chǔ)器不包括 ()

A.PROM
B.EEPROM
C.固態(tài)硬盤(pán)
D.高速緩存

2.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于DRAM和SRAM說(shuō)法錯(cuò)誤的是()

A.DRAM將每個(gè)位存儲(chǔ)為對(duì)一個(gè)電容的充電
B.SRAM對(duì)光干擾敏感,對(duì)電干擾不敏感
C.SRAM主要用于高速緩存
D.SRAM具有雙穩(wěn)態(tài)特性

3.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于DRAM和SRAM說(shuō)法正確的是()

A.DRAM具有雙穩(wěn)態(tài)特性
B.SRAM將每個(gè)位存儲(chǔ)為對(duì)一個(gè)電容的充電
C.DRAM主要用于主存,幀緩沖區(qū)
D.SRAM對(duì)干擾非常敏感

4.單項(xiàng)選擇題以下哪些措施可能提高程序并行性()

A.循環(huán)展開(kāi)
B.創(chuàng)建多個(gè)累積變量
C.重新變換結(jié)合
D.以上都是

5.單項(xiàng)選擇題()是兩次運(yùn)算之間間隔的最小周期數(shù)。

A.丟包
B.吞吐量
C.發(fā)射時(shí)間
D.延遲

最新試題

動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來(lái)存儲(chǔ)信息的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.半加器B.全加器C.原碼D.補(bǔ)碼E.數(shù)據(jù)校驗(yàn)F.檢查溢出G.正確H.錯(cuò)誤I.異或J.與或(1)加法器是由()和相應(yīng)的邏輯電路組成的。(2)定點(diǎn)數(shù)的加減法可以由帶符號(hào)位的原碼、反碼和補(bǔ)碼直接參與運(yùn)算,其中()加減法運(yùn)算的實(shí)現(xiàn)規(guī)則最簡(jiǎn)單,電路實(shí)現(xiàn)也最方便。(3)執(zhí)行補(bǔ)碼加減法運(yùn)算一定要(),否則無(wú)法確定是否正確。(4)使用雙符號(hào)位執(zhí)行加減法運(yùn)算后,若兩個(gè)符號(hào)位不同,即出現(xiàn)01和10,表示運(yùn)算結(jié)果()。(5)在數(shù)值運(yùn)算中數(shù)值位向符號(hào)位進(jìn)位,或符號(hào)位向更高位進(jìn)位產(chǎn)生的溢出,可以用這兩個(gè)進(jìn)位輸出的()操作來(lái)判斷。

題型:?jiǎn)柎痤}

存儲(chǔ)器堆棧需要設(shè)置一個(gè)專(zhuān)門(mén)的硬件寄存器,稱(chēng)為(),而寄存器堆棧則沒(méi)有。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

()又稱(chēng)字選法,所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器是字結(jié)構(gòu)的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

計(jì)算機(jī)中機(jī)器訪問(wèn)的最小單位被稱(chēng)為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是可以分層的,在某級(jí)觀察者角度看到的機(jī)器被稱(chēng)為(),只需要通過(guò)該級(jí)語(yǔ)言來(lái)了解和使用。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

()是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù),是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

使用硬件堆棧時(shí),其中()移動(dòng)。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

計(jì)算機(jī)采用總線結(jié)構(gòu)的好處是()。

題型:多項(xiàng)選擇題