如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。