CVD 技術(shù)中通過(guò)沉積反應(yīng)易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

紅外輻射溫度計(jì)測(cè)量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

吸附質(zhì)從流體主體通過(guò)分子與對(duì)流擴(kuò)散穿過(guò)薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴(kuò)散過(guò)程。

Ni-Cr 和Fe-Cr-Al 合金電熱體的工作溫度是1000℃至1300℃。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考?、沉積反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強(qiáng)控制部件等部分組成。

光學(xué)高溫計(jì)只要選取一定的波長(zhǎng)，通常選λ=0.78μm。

簡(jiǎn)述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

化學(xué)氣相沉積乃是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)的方式，利用加熱、等離子激勵(lì)或光輻射等各種能源，在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。

靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。

簡(jiǎn)述熱電偶真空規(guī)測(cè)量原理。