說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

根據圖，給出M2管的漏極電流表達式。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。