描述RF濺射系統(tǒng)。

什么是摻雜？例舉四種常用的摻雜雜質(zhì)并說明它們是n型還是p型？

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。

例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。

解釋掃描投影光刻機是怎樣工作的？掃描投影光刻機努力解決什么問題？

描述電子回旋共振（ECR）。

解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。

敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

例出光刻的8個步驟，并對每一步做出簡要解釋。