如下圖所示的反饋電路,試求:
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A.提高輸入電阻
B.降低輸出電阻
C.增大電路增益
D.穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)
A.電流串聯(lián)
B.電流并聯(lián)
C.電壓串聯(lián)
D.電壓并聯(lián)
最新試題
MOSFET做放大器,要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
?verilog語法中,間隔符號(hào)主要包括()。
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核?()
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
?已知Nexys4開發(fā)板外部時(shí)鐘信號(hào)頻率為100MHz,數(shù)字鐘用來產(chǎn)生秒信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)頻率為1Hz,若采用計(jì)數(shù)器對(duì)100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號(hào),請問該計(jì)數(shù)器至少需要多少位?()
?某次電路實(shí)驗(yàn)中,一同學(xué)按如下電路圖連接電路,完成實(shí)驗(yàn)。其中D0,D1端為輸入端,S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過程中,該同學(xué)觀測到輸出端S0,S1端輸出電平分別為邏輯高電平,邏輯低電平。請問此刻電路輸入端D0,D1電平可能分別為()。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過電容耦合進(jìn)行傳輸(注意圖中未畫出電容),要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。?
?verilogHDL的基本結(jié)構(gòu)中通常需要進(jìn)行模塊范圍的定義,VerilogHDL的模塊范圍的定義的開始和結(jié)束方式是()。
當(dāng)VGS=0時(shí),能夠?qū)ǖ腗OS管為()