多項(xiàng)選擇題

已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。

A.狀態(tài)1：飽和區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
B.狀態(tài)1：截止區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
C.狀態(tài)3：變阻區(qū)；狀態(tài)4：飽和區(qū)
D.狀態(tài)3：飽和區(qū)；狀態(tài)4：變阻區(qū)

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單項(xiàng)選擇題

?已知某NMOS器件的V_t=1V，k′_n（W/L）=1mA/V²，V_A=50V，且工作點(diǎn)電流I_D=0.5mA，則其小信號模型參數(shù)g_m=（）mA/V，r_o=（）kΩ。

A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100

單項(xiàng)選擇題

電路如圖所示，要使得晶體管工作在飽和區(qū)，且有I_D=0.4mA，V_D=0.5V；已知該NMOS晶體管的V_t=0.7V，L=1μm，W=32μm，k′_n=100μA/V²，忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，則電阻R_S=（）kΩ，R_D=（）kΩ。

A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5