問(wèn)答題畫出雙阱CMOS電路工藝順序簡(jiǎn)化圖。
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下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型:判斷題
引線鍵合的參數(shù)主要包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過(guò)程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序,而倒裝芯片則合二為一。
題型:判斷題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型:判斷題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型:判斷題
引線鍵合的常用技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
按照芯片組裝方式的不同,關(guān)于SiP的分類,說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題