說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。