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問答題在500g的硅單晶中摻有4.5×10^-5g的硼，設雜質全部電離，求該材料的電阻率（設μ_p=400cm²/V.s），硅單密度為2.33g/cm³，硼的原子量為10.8）。

1.問答題本征硅在室溫時電子和空穴遷移分別為1350cm²/V.s和500cm²/V.s，當摻入百萬分之一的A_s后，設雜質全部電離，試計算其電導率比本征硅的電導率增大了多少倍？

2.問答題300K時，鍺的本征電阻率為47Ω.cm，如電子空求本征鍺的載流子濃度分別為3900cm²/V.s和1900cm²/V.s，求本征鍺的載流子濃度。

3.問答題設硅中施主雜質電離能ΔE_D=0.04eV，施主雜質濃度N_D=10¹⁶/cm³，以施主雜質電離90%作為達到強電離的最低標準，試計算保持飽和雜質電離的溫度范圍。

4.問答題設鍺中施主雜質的電離能ΔE_D=0.01eV，在室溫下導帶底有效狀態(tài)密度N_c=1.04×10¹⁹/cm³，若以施主雜質電離90%作為電離的標準，試計算在室溫（T=300K）時保持雜質飽和電離的施主雜質濃度范圍。

5.問答題一硅半導體含有施主雜質濃度N_D=9×10¹⁵/cm³，和受主雜質濃度N_A=1.1×10¹⁶/cm³，求在T=300K時（n_i=1.3×10¹⁰/cm³）的電子空穴濃度以及費米載流了濃度。