問答題

【計算題】已知Si中只含施主雜質(zhì)N_D=1×10¹⁵cm^-3?，F(xiàn)在40K下測得電子濃度為1×10¹²cm^-3，試估算施主雜質(zhì)的電離能。

答案：

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【計算題】室溫下硅的電子和空穴的有效質(zhì)量分別為m^_e=1.08m₀和m^_h=0.59m₀；砷化鉀的電子和空穴的有效質(zhì)量分別為m^_em₀和m^_h=0.5m₀（m₀是自由電子質(zhì)量）。在室溫下，計算砷化鉀的N_C，N_V和n_i（E_g=1.43eV）。

答案：

【計算題】室溫下硅的電子和空穴的有效質(zhì)量分別為m^_e=1.08m₀和m^_h=0.59m₀；砷化鉀的電子和空穴的有效質(zhì)量分別為m^_em₀和m^_h=0.5m₀（m₀是自由電子質(zhì)量）。在室溫下，計算硅的N_C，N_V和n_i（E_g=1.1eV）。

答案：