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【計算題】已知Si中只含施主雜質(zhì)N
D
=1×10
15
cm
-3
?,F(xiàn)在40K下測得電子濃度為1×10
12
cm
-3
,試估算施主雜質(zhì)的電離能。
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問答題
【計算題】室溫下硅的電子和空穴的有效質(zhì)量分別為m
*
e
=1.08m
0
和m
*
h
=0.59m
0
;砷化鉀的電子和空穴的有效質(zhì)量分別為m
*
e
m
0
和m
*
h
=0.5m
0
(m
0
是自由電子質(zhì)量)。在室溫下,計算砷化鉀的N
C
,N
V
和n
i
(E
g
=1.43eV)。
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問答題
【計算題】室溫下硅的電子和空穴的有效質(zhì)量分別為m
*
e
=1.08m
0
和m
*
h
=0.59m
0
;砷化鉀的電子和空穴的有效質(zhì)量分別為m
*
e
m
0
和m
*
h
=0.5m
0
(m
0
是自由電子質(zhì)量)。在室溫下,計算硅的N
C
,N
V
和n
i
(E
g
=1.1eV)。
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