問答題

【計(jì)算題】室溫下硅的電子和空穴的有效質(zhì)量分別為m^_e=1.08m₀和m^_h=0.59m₀；砷化鉀的電子和空穴的有效質(zhì)量分別為m^_em₀和m^_h=0.5m₀（m₀是自由電子質(zhì)量）。在室溫下，計(jì)算硅的N_C，N_V和n_i（E_g=1.1eV）。

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【計(jì)算題】已知InSb的介電常數(shù)ε＝18，電子有效質(zhì)量m^*_e=0.015m₀（m₀是自由電子質(zhì)量），晶格常數(shù)a=6.479×10^-10。若施主均勻分布，相鄰雜質(zhì)原子的軌道之間發(fā)生交迭時(shí)，摻有的雜質(zhì)施主濃度應(yīng)高于多少？

答案：

【計(jì)算題】已知InSb的介電常數(shù)ε＝18，電子有效質(zhì)量m^*_e=0.015m₀（m₀是自由電子質(zhì)量），晶格常數(shù)a=6.479×10^-10。試用類氫模型求基態(tài)軌道的半徑。

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