問答題

【計算題】已知InSb的介電常數(shù)ε＝18，電子有效質(zhì)量m^*_e=0.015m₀（m₀是自由電子質(zhì)量），晶格常數(shù)a=6.479×10^-10。試用類氫模型求基態(tài)軌道的半徑。

答案：

你可能感興趣的試題

【計算題】已知InSb的介電常數(shù)ε＝18，電子有效質(zhì)量m^*_e=0.015m₀（m₀是自由電子質(zhì)量），晶格常數(shù)a=6.479×10^-10。試用類氫模型求施主電離能。

答案：

【計算題】若鍺在T=300K時，N_C=1.1×10¹⁹cm^-3，N_V=0.51×10¹⁹cm^-3，禁帶寬度為E_g=0.67eV。計算在77K時的，N_C，N_V及本征載流子濃度（T=77K時，E_g=0.70eV）。

答案：