進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。