刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。