濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝的特點包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）