填空題晶體管的注入效率是指（）電流與（）電流之比。為了提高注入效率，應(yīng)當(dāng)使（）區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于（）區(qū)摻雜濃度。
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光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
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化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
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光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
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新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
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如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
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常壓的硅外延方法有（）。
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進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
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厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
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下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
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光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題