CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。