問(wèn)答題描述硅片偏置對(duì)HDPCVD方向性的影響。
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1.問(wèn)答題解釋HDPCVD，它在IC中有什么優(yōu)勢(shì)？
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3.問(wèn)答題沉積多晶硅柵材料采用什么CVD工具，列舉多晶硅作為柵電極的6個(gè)原因。
5.問(wèn)答題列出沉積的5種主要技術(shù)。
最新試題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
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IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
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光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題